金融界2023年11月30日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法、半导体器件及光刻掩膜版“，公开号CN117133634A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件及光刻掩膜版，在本发明中，通过一次光刻同时形成对准标记光刻图形和器件窗口光刻图形，后续基于对准标记光刻图形刻蚀形成对准标记图形，并基于器件窗口光刻图形在器件区中形成第二深阱，在一次光刻的基础上同时实现了对准区中对准标记图形的制备和器件区中深阱的制备，合理地将对准标记图形的光刻工艺与深阱的光刻工艺合在一起，提升了光刻的效率和产能，减少了光刻掩膜版的数量并减少了光刻胶显影液等光刻耗材，降低了光刻的成本；此外，基于光刻掩膜版的结构改进设计，使得第一图形区的透光率等于第二图形区的透光率，省略了对光刻胶进行灰化减薄的步骤，进一步精简了制造方法的工艺步骤。
本文源自：金融界
作者：情报员
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