英集芯新获得实用新型专利授权：“带隙基准电路结构及电子设备”

专利摘要：本申请提供了一种带隙基准电路结构及电子设备，所述带隙基准电路结构包括：第一电压端Vy、第二电压端Vx、电阻、mos管、三极管。本申请提供的技术方案具有实现在低电压换将下实现高电源抑制比的优点。

今年以来英集芯新获得专利授权16个，较去年同期减少了38.46%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.34亿元，同比增114.59%。

数据来源：企查查

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